报告地点：理学馆213学术报告厅
报告时间：2025年6月27日星期五 9：30-10：30
报告人：廖蕾 教授
邀请人：刘远 教授
内容简介：
氧化物薄膜晶体管（TFT）具有较高的载流子迁移率和极低的关态电流，在新型显示技术中有着极大的应用前景。但是，其器件迁移率与稳定性（尤其是光照下的负偏压稳定性，NBIS）之间存在严重的制约关系以及P型氧化物的缺乏极大的限制了氧化物TFT的进一步发展。因此，我们探究了不同元素掺杂对氧化物TFT电学性能及NBIS稳定性的影响。实现良好的器件电学性能。但是，只有Pr和Tb两种元素可以通过电荷转移跃迁抑制氧化物沟道在NBIS下氧空位的电离，从而极大地提高IGZO TFT的NBIS稳定性。此外，P型氧化物晶体管也非常重要，如果获得高性能高稳定的P型氧化物薄膜晶体管，就可以构建基于氧化物的CMOS电路和三维集成架构。
报告人简介：
廖蕾，湖南大学教授。2004年和2006年于武汉大学取得学士和博士学位，期间在中科院物理梯子游戏
学习。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作。2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理梯子游戏
工作，2017年1月加入湖南大学，任职教授。在Nature、Nature Electron.、Nature Nano.等学术期刊发表SCI论文200余篇，H因子85。授权中国发明专利7项。获得IUMRS国际材料联合会前沿材料青年奖、湖南省自然科学一等奖和教育部自然科学一等奖等。牵头承担国家重点研发计划重点专项、国家自然科学基金委杰出青年基金和重点基金等。入选IET/IOP Fellow。
