报告地点： 理学馆213学术交流室
报告时间：2025年6月27日，10:00~11:30
报告人：黄火林 教授/学科带头人
内容简介：
氮化镓（GaN）是宽禁带半导体的优秀代表，特别是其异质结组合赋予该类半导体更高的性能上限和更广的应用空间。氮化镓功率电子器件先进性能前期已经得到充分验证，目前成本也已经逼近硅产品。未来将在材料和器件性能的低压高频和高压大功率方向迎来技术挑战，而在产业界在市场竞争过程将越发激烈。本次报告将介绍氮化镓功率器件的应用、增强型器件的技术现状、瓶颈、新结构方案以及典型可靠性测试技术与可靠性工艺加固技术，重点探讨如何在保证氮化镓器件耐高温、高频优势前提下，实现增强型的其他结构和工艺路线。另外，多脉冲测试更加接近实际应用场景，本次报告将探讨可能得拓扑电路和测试结果对比；最后将共同探究未来高压氮化镓器件研制和测试方面的新思路，探讨如何促进产业标准建立。
报告人简介：
黄火林， 现任大连理工大学光电工程与仪器科学梯子游戏
教授/博导、国家重点研发计划项目首席，入选省市高端人才计划，担任辽宁省第三代半导体技术创新中心主任和大连理工大学氮化镓电子器件创新团队负责人。从事高可靠性全电压等级氮化镓功率开关器件设计与工艺、氮化镓基电子器件感知与探测集成以及仪器制造技术研究。典型学术成果包括：获得（排名第一）中国发明协会发明创业奖创新奖与中国循环经济协会科学技术奖二等奖、大连市技术发明奖一等奖以及大连理工大学学术成果奖一等奖等；在Nature Communications、IEEE EDL/T-ED/T-PEL、APL/JAP/JPD等领域权威期刊和重要国际会议上发表学术论文100余篇，申请或授权美国/国内发明专利70余项；主持国家科技部重点研发计划项目、基金委重点/面上以及各类项目或课题30余项。
